詳細(xì)摘要： 主要特點(diǎn)此設(shè)備具有兩個(gè)獨(dú)立的溫場(chǎng)，溫場(chǎng)之外配有磁力拉桿和石英料舟，并配有內(nèi)探熱電偶，可實(shí)現(xiàn)在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中將固態(tài)源（如硫粉、硒粉等）推進(jìn)熱場(chǎng)，并同時(shí)可檢測(cè)溫度

詳細(xì)摘要： 低真空CVD系統(tǒng)（BTF-1200C-III-SL-4ZL）

詳細(xì)摘要： 設(shè)備特點(diǎn)此款CVD系統(tǒng)是由多通道高精度的質(zhì)量流量計(jì)、低真空機(jī)組以及1500度高溫管式爐組成

詳細(xì)摘要： 主要特點(diǎn)該款設(shè)備由我公司和新疆理化技術(shù)研究所共同研制的高真空自動(dòng)循環(huán)設(shè)備，內(nèi)外雙熱電偶控制，內(nèi)熱電偶制動(dòng)，使用者可以設(shè)定設(shè)備循環(huán)溫度點(diǎn)，可根據(jù)內(nèi)熱電偶測(cè)得的溫度...

詳細(xì)摘要： 主要特點(diǎn)復(fù)合氧化物氫分離膜制備用CVD設(shè)備，可以實(shí)現(xiàn)在多孔氧化鋁陶瓷管和陶瓷片上化學(xué)沉積上氧化物（SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2）和復(fù)合氧化物（Al2...

詳細(xì)摘要： 設(shè)備簡(jiǎn)介：流化床—化學(xué)氣相沉積法可控及批量制備碳納米管設(shè)備，該設(shè)備包括有：自動(dòng)加液裝置、超聲波霧化發(fā)生裝置、氣體供應(yīng)裝置、氣體流量控制裝置、三溫區(qū)流化床反應(yīng)器及...

詳細(xì)摘要： 主要特點(diǎn)1.此款設(shè)備提供兩個(gè)獨(dú)立滑動(dòng)的溫場(chǎng)，兩溫場(chǎng)獨(dú)立控制，每個(gè)溫場(chǎng)的加熱區(qū)的長(zhǎng)度為230mm，可在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中推進(jìn)或推離樣品，提供兩個(gè)位置的快升降溫

詳細(xì)摘要： 設(shè)備特點(diǎn)此款CVD系統(tǒng)前端配有可加熱到400℃的預(yù)加熱器，輔助二維材料蒸發(fā)，后端為雙溫區(qū)管式爐，溫度控制精確，操作簡(jiǎn)便

詳細(xì)摘要： 主要特點(diǎn)該設(shè)備是由1200度開(kāi)啟式管式爐、精密的質(zhì)量流量控制系和真空系統(tǒng)所組成

詳細(xì)摘要： 主要特點(diǎn)爐體采用硅鉬棒加熱Z高溫度可至1650℃，高真空系統(tǒng)采用進(jìn)口分子泵機(jī)組，一鍵操作，簡(jiǎn)潔方便，無(wú)噪音，同時(shí)配高精度的質(zhì)量流量計(jì)系統(tǒng)

詳細(xì)摘要： 設(shè)備特點(diǎn)此款CVD系統(tǒng)是由1200℃開(kāi)啟式迷你真空管式爐、氣路系統(tǒng)和低真空機(jī)組組成

詳細(xì)摘要： 設(shè)備特點(diǎn)此款1700℃高溫CVD系統(tǒng)，是由1700度管式爐、三路質(zhì)量流量計(jì)系統(tǒng)以及國(guó)產(chǎn)高真空系統(tǒng)（或選配低真空系統(tǒng)）所組成

詳細(xì)摘要： 設(shè)備特點(diǎn)此套設(shè)備是由1200℃雙溫區(qū)開(kāi)啟式管式爐、三路質(zhì)量流量計(jì)及低真空系統(tǒng)組成，根據(jù)工藝要求亦可選配高真空系統(tǒng)

詳細(xì)摘要： 設(shè)備特點(diǎn)此款設(shè)備是專為生長(zhǎng)石墨烯研制的石墨烯薄膜生長(zhǎng)專用爐，也同樣適用于要求升降溫速度比較快的CVD實(shí)驗(yàn)，溫區(qū)可獨(dú)立程序控制，設(shè)備操作時(shí)可將實(shí)驗(yàn)需要的恒定高溫直...

詳細(xì)摘要： 1、主要特點(diǎn)該設(shè)備爐管可360°旋轉(zhuǎn)，有助于粉料的燒結(jié)更均勻，可大角度傾斜，方便進(jìn)出料，傾斜角度在0-35°之間